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省エネに貢献するキーデバイス　パワー半導体

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東芝デバイス＆ストレージ（株）

パワー半導体は、電力を変換するあらゆるところで活躍していますが、変換の際にその一部は熱となって失われてしまいます。原因としては大きく分けて導通損失とスイッチング損失があり、二律背反の関係にあります。東芝デバイス＆ストレージ（株）の高性能パワー半導体はさまざまな工夫により、この二律背反にある損失をバランスよく下げることに成功しています。 近年、SiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）といったシリコンでは達成できなかった損失の少ない高性能半導体が実用化されていますが、価格が高いため鉄道や無線基地局など効果が大きいところだけに採用されているのが実情です。多くの製品では今後もシリコンのパワー半導体が用いられると予想されています。 U-MOSⅩシリーズ、DTMOSⅥシリーズは、最新のシリコンのパワー半導体で身の回りのさまざまな電化製品で高効率化を実現、搭載機器の省エネに貢献しています。