SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発

（株） 東芝

当社は、パワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC（炭化ケイ素）デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発しました。
高性能SiCデバイスの実現には、高速動作によりノイズが発生し結果として効率が低下するという、トレードオフの最適化に加え、駆動ICで発生する損失（以下、駆動損失）の増加への対応が不可欠です。
今般当社は、世界初の自動駆動波形生成機能により、損失とノイズの最適バランス制御を可能とする「フィードバック型アクティブゲートドライバー技術」、及び少ないキャパシタ構成で多段の階段状のゲート電圧生成を世界で初めて実現し、駆動損失を大幅に削減する「低損失ゲートドライバー技術」を開発しました。
本技術により、EVなどにおけるエネルギー効率の向上や、UPS（無停電電源装置）をはじめとするデータセンター向け電源システムの高電流密度化を通じて、脱炭素社会の実現に貢献します。

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