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(Microwave)

GaN HEMT

GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT

窒化ガリウム高電子移動度トランジスタイメージ

製品情報

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  • 新製品

製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI5867-25L (PDF形式)(320.2KB) 5.85-6.75 24 1.75 44.5 2.7 39 35 13.5 20 -40 29 7-AA04A Download
TGI5867-50L (PDF形式) 5.85-6.75 24 3.0 47.0 5.4 33 40 13.5 20 -40 32 7-AA04A Download
TGI5867-60LHA (PDF形式)(344KB) 5.85-6.75 40 0.4 48.0 3.5 38 40 12.5 20 -25 41 7-AA04A Download
TGI5867-130LHA (PDF形式)(344KB) 5.85-6.75 40 0.8 51.0 7.0 38 43 12.5 20 -25 44 7-AA06A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI5964-120L (PDF形式) 5.9-6.4 24 4.0 51.0 10.0 42 43 13.5 20 -25 44 7-AA06A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI6472-120L (PDF形式)(304.4KB) 6.4-7.2 24 4.0 51.0 11.0 38 44 11.5 20 -25 44 7-AA06A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI7179-60LHA (PDF形式)(352KB) 7.1-7.9 40 0.4 48.0 3.5 37 40.5 12.0 20 -25 41 7-AA04A Download
TGI7179-130LHA (PDF形式)(332KB) 7.1-7.9 40 0.8 51.0 7.0 36 43.5 12.0 20 -25 44 7-AA06A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI7785-25L (PDF形式)(468.7KB) 7.7-8.5 24 1.75 44.5 2.7 39 35 12.0 20 -40 29 7-AA04A Download
TGI7785-50L (PDF形式)(449.7KB) 7.7-8.5 24 3.0 47.0 5.0 33 40 11.0 20 -40 32 7-AA04A Download
TGI7785-60LHA (PDF形式)(348KB) 7.7-8.5 40 0.4 48.0 4.0 32 41 11.5 20 -25 41 7-AA04A Download
TGI7785-120L (PDF形式)(624.9KB) 7.7-8.5 24 4.0 51.0 10.0 42 44 11.0 20 -25 44 7-AA06A Download
TGI7785-130LHA (PDF形式)(352KB) 7.7-8.5 40 0.8 51.0 7.0 36 44 11.5 20 -25 44 7-AA06A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
TGI8596-50 (PDF形式)(289.7KB) 8.5-9.6 24 1.5 47.0 5.0 31 41 9.0 20 7-AA04A Download
TGI0910-50 (PDF形式)(295.6KB) 9.5-10.5 24 1.5 47.0 5.0 31 41 9.0 20 7-AA04A Download
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
TGI9098-100P (PDF形式)(321.2KB) 9.0-9.8 24 6.0 50.0 10.0 40 42 12.0 35 7-AA03B Download
  • ※ Pulse Operation
製品情報 GaN HEMT
品 名
(データシート)
PDF
周波数
帯域(GHz)
バイアス条件 出力電力
Pout(dBm)
標準値
ドレイン
電流
IDS(A)
標準値
電力付加効率
ηadd(%)
標準値
線形利得
GL(dB)
標準値
三次相互
変調歪
IM3(dBc)
最小値
パッケージ
コード
Sパラメーター
VDS
(V)
IDSset
(A)
@Pin
(dBm)
@Pin
(dBm)
Po@SCL
(dBm)
TGI1213-25LA (PDF形式)(352KB) 12.7-13.2 24 1.0 44.0 2.5 29 39 8.0 20 -25 37 7-AA07A Download
TGI1213-50LA (PDF形式)(368KB) 12.7-13.2 24 2.0 47.0 5.0 29 42 8.0 20 -25 40 7-AA07A Download
TGI1314-25LA (PDF形式)(316KB) 13.75-14.5 24 1.0 44.0 2.5 29 39 8.0 20 -25 37 7-AA07A Download
TGI1314-50LA (PDF形式)(324KB) 13.75-14.5 24 2.0 47.0 5.0 29 42 8.0 20 -25 40 7-AA07A Download
TGI1314-100LPHA (PDF形式)(276KB) 13.75-14.5 40 0.8 51.0 7.5 33 44 10.0 20 -25 43 7-AA13A Download
  • ※ Pulse Operation

7-AA06A

パッケージコード 7-AA06A

7-AA04A

パッケージコード 7-AA04A

7-AA03B

パッケージコード 7-AA03B

7-AA07A

パッケージコード 7-AA07A

7-BA42B

パッケージコード 7-BA42B

7-AA13A

7-AA13A