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GaN HEMT

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GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)
GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT

C帯内部整合型電力GaAs FET

C帯内部整合型電力GaAs FET

C帯(4~8GHz)GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor:ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)
高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET

X、Ku帯内部整合型電力GaAs FET

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X帯(8~12GHz)およびKu帯(12~18GHz)GaAs FET(Gallium Arsenide Field Effect Transistor:ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)
高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET

製品型名の意味

内部整合型 GaAs FET (Package Model)

内部整合型 GaAs FET (Package Model)

内部整合型 GaN HEMT (Package Model)

内部整合型 GaN HEMT (Package Model)
  • ※1 周波数、出力電力など類似製品が存在する場合に付与して区別する。
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