このページでは JavaScript を使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。
GaN HEMT
GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）GaAsの数倍の出力電力能力を有する化合物半導体内部整合型HEMT
C帯内部整合型電力GaAs FET
C帯（4~8GHz）GaAs FET（Gallium Arsenide Field Effect Transistor：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ）高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET
X、Ku帯内部整合型電力GaAs FET
X帯（8~12GHz）およびKu帯（12~18GHz）GaAs FET（Gallium Arsenide Field Effect Transistor：ガリウムヒ素電界効果トランジスタ）高周波特性の優れた化合物半導体内部整合型FET
