ニュースリリース

２値技術を用いた組み込み用ECC搭載NAND型フラッシュメモリについて

 

  当社は、薄型テレビやデジタルカメラなどの民生機器や産業用ロボットなどの産業機器など幅広い組み込み用途向けに、ECC（Error Correction Code：エラー訂正回路）搭載の２値（SLC)技術を用いたNAND型フラッシュメモリ「BENAND^{TM 注}」の新製品を発売します。新製品は４ギガビット、８ギガビットの２種類の容量、８製品で、本日からサンプル出荷を開始し、３月以降、順次量産します。

  小容量のSLC NANDはシンプルなインターフェースと信頼性の高さから民生機器や産業機器のプログラム記録用メモリとして幅広く普及しています。従来、メモリのエラー訂正回路は機器側に入っており、主に５１２バイトあたり１ビットの訂正ができる回路が搭載されていました。
  昨今、メモリの微細化に伴い、必要とされるエラー訂正能力が高まっており、３２nmプロセスのメモリに対応するECCでは５１２バイトあたり４ビット以上の訂正能力が求められています。そのため、ECCのない３２nm世代以降のメモリを用いると、訂正能力を高めるため、機器側のコントローラー変更などが必要となるという課題がありました。

  このような背景の中、ユーザー側の開発負担を低減し、タイムリーに最先端プロセスのNAND型フラッシュメモリが適用できる「BENAND^TM」の新製品を開発しました。新製品は、当社SLC NANDで最先端の３２nmプロセスのNAND型フラッシュメモリに、５１２バイトあたり４ビットの訂正能力を持ったECCを内蔵しています。
  また、汎用的なインターフェースを採用しており、パッケージやピン配置は、一般のSLC　NANDとの互換性を確保しているため、従来製品からの置き換えが容易です。

  当社は、今年夏以降に「BENAND^TM」で２４nmプロセスのNAND型フラッシュメモリを用いた「BENAND^TM」の新製品の投入を計画しています。「BENAND^TM」の製品ラインナップを拡充することで、事業展開を加速するととともに、NAND型フラッシュメモリ市場の拡大を目指していきます。

注：ＢＥＮＡＮＤ^TMは株式会社東芝の商標です。

新製品の概要

型名	容量	I/O	電圧	パッケージ	量産時期
TC58BVG2S0FTA00	4Gbit	x8	2.7 to 3.6	48pin TSOP	2012年3月
TC58BYG2S0FTA00			1.7 to 1.95	48pin TSOP
TC58BVG2S0FBAI4			2.7 to 3.6	63ball FBGA
TC58BYG2S0FBAI4			1.7 to 1.95	63ball FBGA
TC58BVG2S5FBAI4		x16	2.7 to 3.6	63ball FBGA
TC58BYG2S5FBAI4			1.7 to 1.95	63ball FBGA
TH58BVG3S0FTA00	8Gbit	x8	2.7 to 3.6	48pin TSOP	2012年2Q
TH58BYG3S0FTA00			1.7 to 1.95	48pin TSOP

新製品の主な特長

１．５１２バイトあたり４ビットのエラー訂正処理機能と、３２ｎｍプロセス技術適用のNAND型フラッシュメモリをワンパッケージに搭載した製品です。

２．汎用的なNANDインターフェースを採用しています。パッケージ等も一般のSLC NANDと互換性を確保していますので、一般的なSLC NANDからの置き換えが容易です。

３． NAND側にECCを搭載しているため、システム側のエラー訂正能力に関わらず、最先端のメモリが使用可能です。

新製品の主な仕様

インターフェース	標準ＮＡＮＤ型フラッシュメモリインターフェース
ページサイズ	4K Byte
電源電圧	Vcc=2.7～3.6V、1.7～1.95V
パッケージ	・48 pin TSOP（12mm × 20mm × 1.2mm） ・63 ball FBGA (9mm × 11mm × 1.0mm)

新製品に関するお問い合わせ先：

メモリ営業推進統括部　モバイルメモリ営業推進部

ＴＥＬ ：　０３（３４５７）３４０１