携帯電話向け大容量NAND型フラッシュメモリ新製品の発売について 2007年6月21日 同一デバイス内で二値領域と多値領域を任意に設定可能 当社は、携帯電話向けに、同一デバイス内にプログラムなどを格納する二値記憶セルとデータ保存用の多値記憶セルを一体化し、任意に容量比率を設定できる*1、大容量NAND型フラッシュメモリ「mobileLBA-NAND」を製品化し、8月からサンプル出荷します。 新製品は、コントローラを内蔵した組み込みメモリで、二値と多値の両方式に対応した独自の制御を追加したものです。一つのメモリチップ上に、高速な書き込みや読み出しに適した二値記憶領域と、素子あたりのデータ保存量を高めた多値記憶領域を、任意の容量で設定することができます。*1 これによりチップ枚数が減る省スペース構成となり、高密度実装や多機能化に寄与します。 また、新製品は、汎用的なNANDインターフェースを採用しているため、従来製品からの置き換えが容易です。加えて、書き込みや消去のブロック管理が不要な論理アドレスアクセス方式の制御機能や、エラー訂正(ECC)処理など一連の制御も行います。これにより、ホストコントローラの負荷を低減するとともに、ユーザーによる新たな開発負荷を軽減します。 近年、高画素カメラ機能や音楽プレーヤー機能等を搭載した携帯電話が急増しており、従来のプログラムや通信データ等の書き込みや読み出しに加えて、画像や音楽データを保存する大容量メモリが必要とされています。当社は、このような要望に応えると同時に、機器側の開発の負荷軽減に寄与する製品ラインアップを強化しています。新製品の出荷形態はMCPを中心とし、従来のMCPと同様のFBGAパッケージを採用します。
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