東芝・四日市工場におけるNAND型フラッシュメモリ新製造棟の建設について

2006年8月4日

東芝とサンディスクがNAND型フラッシュメモリ製造の新しいパートナーシップを開始

東芝 四日市工場(中央左側空地が第四製造棟建設地
 
東芝・四日市工場 第四製造棟’完成予想図)

株式会社 東芝
サンディスクコーポレーション

 株式会社東芝(本社:東京都港区 以下、東芝)とサンディスクコーポレーション(本社:米国・カリフォルニア州)の本年7月の合意に基づいて、本日、東芝は半導体メモリの拠点である東芝・四日市工場(三重県四日市市)において、300ミリウェハーに対応したNAND型フラッシュメモリの新製造棟(以下、第四製造棟)の建設を開始しました。

 NAND型フラッシュメモリは、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話、各種メモリカードなど幅広いアプリーションへの採用が進み、その市場は急成長を続けています。両社は、東芝・四日市工場に300ミリウェハーに対応した最新鋭の第三製造棟を昨年夏から稼動させ、当初投資計画の前倒しなどにより能力増強を進めてきましたが、2008年以降に見込まれる、さらなる需要拡大に対応するため、今回、第四製造棟の建設に着手したものです。

 第四製造棟への投資金額は、06年度から07年度の2年間で、約3,000億円を見込んでいます。第四製造棟の建設は東芝が担当し、製造設備は両社が共同で出資するFlash Alliance有限会社で導入します。生産するウェハーは両社で均分する予定です。
 第四製造棟では、2007年第4四半期(10-12月期)から、NAND型フラッシュメモリを月産2,500枚規模で量産を開始します。さらに、1年後の2008年第4四半期(10-12月期)には、月産67,500枚まで生産能力を拡大する予定です。製造プロセスは、最先端56nm*からスタートし、その後順次、次世代のプロセスを導入していきます。

 また、第四製造棟では、地震による揺れを3分の1程度まで抑えることができる免震構造や、落雷等による瞬間的な電圧低下に対応するSMES(超伝導電力貯蔵装置)を採用することで、自然災害による製造装置への影響を抑制する対策を行います。

 両社は、第四製造棟の建設により、NAND型フラッシュメモリの生産能力を継続的に拡大していくとともに、微細化技術、多値化技術などの技術開発で常に先行することで、世界シェアでトップクラスにあるNAND型フラッシュメモリの競争力を更に強化し、今後も市場におけるリーダシップを堅持していきます。

* nm:ナノメートル。10-9m

第四製造棟の概要

建物構造 : 鉄骨造5階建(CR2層)
建家面積 :

約 35,500m2

延床面積 : 約181,000m2
クリーンルーム面積 : 約 48,800m2
着工 : 2006年8月
建物完成 : 2007年7月(予定)
量産開始 : 2007年第4四半期(10月―12月期)(予定)

東芝四日市工場の概要

所在地 : 三重県四日市市山之一色町800
設立 : 1992年(平成4年)
工場長 : 戸澤 周純(とざわ のりよし)
従業員数 : 約2,200名
敷地面積 : 約312,300m2
延床面積 : 約260,000m2
(上記延床面積には、新製造棟(第四製造棟)は含みません。)

Flash Alliance有限会社の概要

所在地 : 三重県四日市市山之一色町800
設立 : 2006年(平成18年)7月
代表取締役社長 : 成毛 康雄(なるけ やすお)
資本金 : 300万円
出資比率 : 東芝:50.1%  サンディスク:49.9%

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