不揮発性磁気メモリ(MRAM)の基盤技術を確立 2006年6月6日 株式会社 東芝 東芝とNECはこのたび、MRAM(注1)の共同開発において、256Mbit級の大容量化に必要な基盤技術を確立しました。
高度情報化社会の進展に伴い、大容量かつ高性能な不揮発性メモリへの需要は増大の一途をたどっています。MRAMは、素子の磁化方向により情報の蓄積を行う不揮発性メモリで、(1)無限回数の書き換え耐性を有するため、不揮発で完全なRAM動作が実現できること、(2)MTJ素子は半導体プロセスを終えた後に作製可能で、CMOSデバイスと混載しやすいこと、(3)1V級の、既存メモリの中で最も低いセル動作電圧を実現できること、(4)既存メモリに比べ高温での動作も可能であること、などの特長を有しています。これらの特長は既存のメモリでは実現不可能であるため、MRAMは次世代のワークメモリ・システムLSI混載メモリとして注目されています。しかし、実用化のためには、書き込みの制御性の大幅な向上、低電圧化・高速化のための回路技術、磁性薄膜の加工技術などの磁性体集積化プロセス技術の確立などが課題となっていました。 東芝とNECは2002年度よりMRAMの共同開発を開始し、2003年度からはNEDOの助成を受けて、0.13μmCMOS技術と0.25μm強磁性体トンネル接合技術を用いて256Mbit級MRAM実現のための基盤技術構築を目指し、開発を加速してきました。
16MbitMRAMの主な仕様
(ご参考)新素子形状
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