株式会社　東芝
日本電気株式会社

　株式会社東芝（以下、東芝）と日本電気株式会社（以下、ＮＥＣ）は、世界最高速の１秒当たり２００メガバイトの読み書き速度と、世界最大容量の１６メガビットを両立し、さらに１．８Ｖの低電圧動作を実現したＭＲＡＭ^＊１を共同で開発しました。

　従来のＭＲＡＭでは、書き込み用の磁場を起こす電流駆動回路が、周辺のセルの読み出し動作に電気的な悪影響を及ぼし、高速化しにくい課題がありました。
　今回開発したＭＲＡＭは、読み出しと書き込みの経路を分離できる配線構成に改良して高速化を実現すると同時に、この配線構成を生かし、書き込み電流を部分的に分岐させて配線の電気抵抗を約３８％低減しました。
　これにより、データ転送速度（バンド幅^＊２）が１秒当たり２００メガバイト、動作速度（サイクルタイム^＊３）が３４ナノ秒と、いずれも１６メガビットＭＲＡＭとして世界最高速処理に加え、携帯機器での使用に適した１．８Ｖの低電圧動作を実現しています。
　さらに、配線構成の改良に加えて全般的な設計の最適化を行った結果、従来方法で製造した場合に比べチップサイズを約３０％削減し、１６メガビットＭＲＡＭとして世界最小の７８．７mm^２を実現しました。

　なお、今回のＭＲＡＭ開発は、ＮＥＤＯ（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の助成により、東芝とＮＥＣが共同で行ったものです。
　今回の成果については、米国・サンフランシスコで開催されている国際固体素子回路学会（ＩＳＳＣＣ２００６）において２月６日（現地時間）に発表しました。

今回開発したＭＲＡＭの主な仕様