当社は、半導体メモリの生産拠点である四日市工場（三重県四日市市）において、生産効率の高い３００ミリウェハーに対応した新製造棟の建設を本日から開始しました。

　製造装置も含めた新製造棟にかかる投資総額の計画は、２００６年までの４年間で、約２，７００億円を見込んでおり、市況を見極めながら段階的に投資を実施していきます。このうち、製造装置については、当社とサンディスクコーポレーション（本社：米国カリフォルニア州）が共同で投資します。
　新製造棟では、両社で共同開発した最先端９０ｎｍ^＊プロセス技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリを、２００５年度下期から月産１０，０００枚規模で量産開始します。フル稼働時の生産規模の計画は、月産３７，５００枚で、生産するウェハーは両社で均分する予定です。なお、さらなる生産設備の追加等によって、月産６２，５００枚までの生産に対応できるスペースを有しています。
　また、新製造棟の製品に適用するデザインルールは、２００６年度上期には次世代７０ｎｍ、２００７年には次々世代５５ｎｍプロセス技術に順次移行していく計画です。

　さらに、新製造棟は、ＣＯ２排出量やＰＦＣガス^＊２の削減に加え、既存の２００ｍｍを用いた製造棟と比較して、ウェハー一枚当りの処理に用いられる電力量を約３０％削減するなど、環境に配慮した環境融和型クリーンルームとなっています。

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、デジタルカメラやカメラ付き携帯電話の普及に加え、各種メモリカードやＭＰ３プレーヤー、ＵＳＢメモリなどのアプリケーションの需要拡大で市場規模は毎年３０％伸長し、２００３年の約３，８００億円から、２００５年には約６，８００億円の市場規模を形成するものと当社は推定しています。今後も拡大が見込まれる旺盛な需要にこたえるため、新製造棟にかかる投資総額の計画を約２，７００億円と、約７００億円増額することとしました。

　新製造棟の建設により、当社は世界シェアでトップクラスにあるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの競争力を確保していきます。
　なお、製造については、両社の合弁会社であるフラッシュビジョン社で行う予定ですが、詳細については６月を目途に決定する予定です。

新製造棟の概要

四日市工場の概要