当社は、ＭＣＰに封入するチップを薄く削って積層させ、ボンディングする技術を改良することによって、携帯電話などのモバイル機器に搭載できる高さ1.4mmサイズのパッケージの中に、業界最多の９層まで積層できるＭＣＰの多層化量産技術を開発しました。

　携帯電話などのモバイル機器では、カメラ・ディスプレイなどの高機能化に伴い、通話機能などの基本プログラムのほかに、画像・映像やゲームなどの大容量のデータを高速に処理することが強く求められる一方、機器の特質上、限られたスペースに実装する必要があるため、多層のＭＣＰのニーズが高まっています。
　当社は、ＭＣＰに封入するチップを１枚あたり業界最薄^＊３の70μｍまで削り、そのチップを割れないように積層させるとともに、ワイヤーの形状やボンディングピッチの配置を工夫した多重ボンディング技術を確立し、多層ＭＣＰを実現しました。
　本パッケージには、ＳＲＡＭ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ローパワーＳＤＲＡＭ、擬似ＳＲＡＭの合計５種類のメモリを、用途に応じて自由な組み合わせで搭載することが可能で、メモリチップの組み合わせ方によっては、高さ1.4mmのパッケージに最大で９チップまで積層して搭載することも可能です。
　また、コントローラとメモリを結ぶデータバスを業界で初めて^＊４３種類設ける（トリプルデータバス^＊５）ことでデータの高速処理にも対応しています。

　これらの技術により、次世代携帯電話などの高機能化が著しいモバイル機器に最適なメモリを部品点数を増やすことなく搭載することができ、高性能なシステムを実現させるのに役立ちます。
　なお、当社では本技術をベースとしたＭＣＰ製品を本年５月に製品化する予定です。

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