国内ＣＤＭＡ向けで最小、最薄パッケージを実現した電力増幅器

　当社は、第３世代携帯電話・ＣＤＭＡ２０００ １ｘ用のパワーアンプモジュールとして、４ｍｍ角の業界最小パッケージで、世界最高レベルの電力効率４０％を実現したＩｎＧａＰ系ＨＢＴ（インジウム・ガリウム・リン系ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ）「Ｓ－ＡＵ８７」を製品化し、本日からサンプル出荷を開始します。

　新製品は、ＨＢＴプロセスの改良や内蔵するバイアス回路の最適化により、待機時の消費電流を業界最小の５５ｍＡとしたほか、フリップチップ実装の採用などによりパッケージサイズを業界最小の４ｍｍ角としており、携帯電話の小型化、低消費電力化が可能です。

　なお、Ｗ－ＣＤＭＡ用のパワーアンプモジュール「Ｓ－ＡＬ５４」も同一サイズのパッケージで、同時に製品化します。

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

　高機能化が進む携帯電話には、カメラや大画面液晶など多くの部品が搭載されています。このため、基幹部品の一つであるパワーアンプモジュールにも高性能化に加えて、省スペース化と低消費電力化が求められています。

　当社はこうしたニーズに対応し、高効率化と同時に、パッケージの小型化と低消費電力化を実現した新製品を商品化するものです。

新製品の主な特長

ＣＤＭＡ２０００ １Ｘ用パワーアンプモジュール

１．	ＩｎＧａＰ系ＨＢＴの採用やプロセス改善により、アイドル電流を５５ｍＡに抑制し、世界最高レベルの電力効率４０％を実現しました。
２．	高効率を維持しながら歪みを抑制し、隣接チャネル漏洩電力比－５０ｄＢｃを達成しました。これにより、通信の高品質化、長時間化が可能となります。さらに、温度補償回路を内蔵していますので、温度に関する端末設計の負担を大きく軽減します。
３．	ＨＢＴはＦＥＴ系では難しい単一電源動作、低カットオフ電流を実現できますので、数ナノＡという低カットオフ電流の実現により、携帯端末の待受け時間延長に大きな効果を得ることができます。
４．	４ｍｍ４ｍｍ１．２ｍｍの超小型薄型パッケージです。

Ｗ－ＣＤＭＡ用パワーアンプモジュール

　ＣＤＭＡ２０００ １ｘ用と同様のＨＢＴ、および回路技術を用いたＷ－ＣＤＭＡ用パワーアンプモジュール「Ｓ－ＡＬ５４」も同時に製品化します。

新製品の主な仕様

ＣＤＭＡ２０００ １Ｘ用パワーアンプモジュール

パッケージサイズ：４ｍｍ４ｍｍ１．２ｍｍ（０．０１９ｃｃ）

Ｗ－ＣＤＭＡ用パワーアンプモジュール

パッケージサイズ：４ｍｍ４ｍｍ１．２ｍｍ（０．０１９ｃｃ）

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