２チップ積層した４ギガビット製品も商品化

　当社は、１３０ナノメートルの微細加工技術を採用し、業界最大となる２ギガビットの大容量を実現したＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発しました。メモリカード用に適したＴＳＯＰパッケージの製品「ＴＣ５８ＤＶＧ１４Ｂ１ＦＴ００」のサンプル出荷を本日から開始し、６月から量産を行います。

　また、２ギガビットのチップを２個積層した４ギガビットのＴＳＯＰパッケージの製品も商品化し、４月からサンプル出荷を開始する予定です。４ギガビットの製品をメモリカードに搭載することにより、２ギガバイト（１６ギガビット）の大容量カードが実現できます。

　当社は、９９年７月に米国・サンディスクコーポレーション（本社：カリフォルニア州サニーベール市、代表者：ＣＥＯエリ・ハラリ）とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの共同開発について包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発したものです。新製品の量産は、両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン（東芝四日市工場内）で行います。

新製品の概要

開発の背景とねらい

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、大容量のデータを記録するのに適したメモリで、デジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品等のデータ蓄積用に需要が拡大し、より大容量なメモリが求められています。
　こうしたニーズに対応するため、２ギガビット及び４ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発・商品化し、大容量メモリを必要とするカード市場に提供していきます。

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

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