モバイル携帯機器に適した大容量、低消費電力メモリ

　当社は、低消費電力タイプの擬似スタティックＲＡＭ(Ｐｓｅｕｄｏ　ＳＲＡＭ、以下ＰＳＲＡＭ)の新製品として、業界初の１２８メガビットのメモリ容量を実現した「ＴＣ５１ＷＨＭ７１６ＡＸＢＮ７０」など２製品を商品化します。サンプル出荷は２００３年１月末から開始し、３月より月産２０万個規模で量産を開始します。

　ＰＳＲＡＭは、セルの構造がＤＲＡＭで、外部とのインターフェースの構造をＳＲＡＭと同じにしたメモリで、高集積化、大容量化が容易なＤＲＡＭと、高速、低消費電力化が可能なＳＲＡＭの両方の長所を持っています。新製品は、近年、大容量・低消費電力が求められる携帯電話端末のほか、ＰＤＡなどの携帯機器にも適しています。

　新製品は、０．１７５マイクロメートルのＣＭＯＳプロセスを採用し、業界初のメモリ容量１２８メガビットを実現するとともに、待機時の電流２５０マイクロアンペア、データへのアクセス時間７０ナノ秒を可能にしています。また、１．８Ｖインターフェース対応の製品もラインナップし、システム仕様に合わせて選択が可能です。

　さらに、新製品とＳＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリとの組み合わせによるスタック型ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）も商品化します。
　当社は、ＳＲＡＭ、擬似ＳＲＡＭ、ＮＯＲ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの４種類すべてを自社生産しており、各製品のラインナップも豊富なため、ＭＣＰ製品ではユーザーの仕様に対してフレキシブルな対応が可能です。

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

　近年、高機能/高性能化が進む携帯電話端末における動画や音楽配信などのコンテンツ対応が拡大するのに伴い、メモリへの要求は、低消費電力はもちろん、大容量、高速化へとシフトしています。
　当社は、このようなニーズに対応するため、０．１７５マイクロメートルのＣＭＯＳプロセスの採用、回路構成の最適化により、ＰＳＲＡＭ系メモリとしては業界初の１２８メガビットのメモリ容量を実現したＰＳＲＡＭを商品化しました。

新製品の主な特長

１．	０．１７５マイクロメートルＣＭＯＳプロセスの採用などにより、ＰＳＲＡＭ系メモリとしては業界初の１２８メガビットのメモリ容量を実現しています。
２．	待機時の電流２５０マイクロアンペア、データへのアクセス時間７０ナノ秒を実現しています。
３．	データを保持せず低消費電力のディープパワーダウンモード時を選択すると、電流を３マイクロアンペアに抑えることができます。
４．	パーシャルモードを備え、待機時電流を削減するために、一部の領域でのデータ保持を可能にしています。
５．	１回のデータへのアクセスにおいて８ワードアドレス連続してアクセスすることが可能です。
６．	完全セルフリフレッシュ機能を完備していますので、外部からのリフレッシュ制御は一切不要です。
７．	９１２ミリメートルの小形ＦＢＧＡ（Fine Pitch Ball Grid Array）パッケージを採用しています。
８．	ＳＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュメモリまたはＮＯＲ型フラッシュメモリとの組み合わせによるスタック型マルチ・チップ・パッケージでのサポートも可能です。

新製品の主な仕様

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