90ナノメートル NAND型フラッシュメモリ・プロセス技術の共同開発について 2002年10月10日
株式会社 東芝 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:岡村 正)とサンディスクコーポレーション(本社:米国カリフォルニア州、CEO:エリ・ハラリ)は、NAND型フラッシュメモリの供給能力増大と競争力強化を図るため、90ナノメートル(nm)のプロセス技術を共同で開発していきます。 両社は、東芝の最先端NAND型フラッシュメモリ・プロセス技術における卓越した経験と、サンディスクの開発した多値(MLC:Multi-Level Cell)技術をベースに、90nmプロセス技術を用いた2ギガビット(Gb)のNAND型フラッシュメモリと4GbのMLC NAND型フラッシュメモリの早期製品開発をめざします。 90nmプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリのサンプルは、2003年後半を予定しており、2004年第1四半期(1-3月)に製品化する計画です。 東芝とサンディスクは、これまでにも大容量のNAND型フラッシュメモリを製品化するため、210nm、160nm及び130nmのプロセス技術の共同開発を行ってきました。両社は、それぞれの技術及びリーディングカンパニーとしての地位を強化し、フラッシュメモリ市場拡大と新規市場開拓を進める上で、90nmプロセス技術を採用したMLC NANDフラッシュの製品化が重要と考えています。今回の90nmプロセス技術の共同開発においても、今までと同様に緊密な協力関係を維持しながら、両社の技術ノウハウを効果的に活用していきます。 なお、東芝は、NAND型フラッシュメモリの競争力を強化し、新規市場の開拓を進めるため、次世代の70nm及び55nmのプロセス技術についても既に開発を始めており、最先端の技術開発に注力しつづけます。
|
プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。 |