携帯電話の高速化に対応した8メガビット低消費電力SRAMの商品化について 2002年1月28日
当社は、最先端0.15ミクロンプロセス技術を駆使した8メガビット低消費電力SRAMを開発し、同クラスの製品として業界最高速40ナノ秒のアクセスタイムを実現した「TC55VBM316ASGN40」など8製品を商品化します。本日からMCP(Multi Chip Package)実装向けのウェハ製品として、2月からパッケージ製品としてサンプル出荷を開始します。 新製品は、8メガビット低消費電力SRAMとしては業界最高速性能のアクセスタイム40ナノ秒を実現していますので、今後の携帯電話等で要求されるメモリシステムのウェイト時間*の削減が可能になりシステムの高速化に大変効果的です。また、パッケージは、TSOPタイプ1に加え、高密度実装に適したCSP(Chip Size Package)としてFBGAもラインナップしました。なお、新製品はすべてパッケージの鉛フリー化に対応しています。 今後、0.15ミクロンプロセス技術を駆使した4メガビットおよび16メガビット低消費電力SRAMを開発し、第2四半期に製品化する予定です。
新製品の主な概要
開発の背景と狙い 携帯電話端末におけるインターネット技術を利用したデータサービス等の拡大にともない、搭載されるメモリに対しても、低消費電力化や大容量化だけでなく、データ伝送スピードの高速化に対する要求が大きくなってきています。 当社は、このようなニーズに対応するため、0.15マイクロメートルのCMOSプロセスを採用することにより、8メガ低消費電力SRAMとしては、業界最速40ナノ秒のアクセスタイムを実現した新製品を開発しました。 新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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