低温ポリシリコンTFT液晶表示装置へのSRAM内蔵技術の実用化について 2000年8月2日
当社は、携帯電話用液晶表示装置部の待機時消費電力を当社比約50%削減可能にする、 反射型カラー低温ポリシリコンTFT液晶表示装置のSRAM内蔵技術を、 世界ではじめて実用化することに成功しました。 今後、本技術を搭載した液晶表示装置を、次世代携帯電話向けに積極的に紹介していきます。 今回実用化に成功した反射型カラー低温ポリシリコンTFT液晶表示装置へのSRAM内蔵技術は、 電子移動度の高いポリシリコンの特性を活かすことで、各ドットにSRAM型メモリを形成したものです。
今回、実用化に成功した液晶表示装置の主な仕様は、下記の通りです。
当社は、本新技術を、動画アプリケーションも可能となる次世代携帯電話において、 さらに重要視される低消費電力技術として、量産化へ向けての取り組みを加速していきます。 また、あわせて、次世代携帯端末向けなどの中・大型液晶画面への本新技術の応用開発も進めていきます。 お客様からのお問い合わせ先
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