低消費電力化・小形化を実現したSRAMの発売について 1998年10月13日
当社は、微細プロセスの採用や完全CMOS(相補型金属酸化膜半導体)化などによって、 待機時電流0.1マイクロアンペアの低消費電力化とパッケージサイズの小形化を実現した4メガビットスタティックRAM(SRAM) 「TC55V400FT」など4品種および2メガビットSRAM「TC55V200FT」など4品種を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。 新製品は、従来に比べて待機時電流を約20分の1(当社比)に、 パッケージサイズを約6割(当社比)に削減しています。 今回の新製品に採用したパッケージおよび規格については、 日本電気株式会社と基本仕様の共通化で合意したものです。
|
プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。 |