| 開発の背景と狙い 近年、携帯電話や情報端末機器などの携帯機器が急速に普及しており、 長時間のバッテリ駆動を実現するため、低電圧の半導体が求められています。 また、バッテリ駆動以外の各種ＯＡ機器においても、 システム全体の低消費電力化を実現するため、 低電圧の半導体を採用するケースが増えてきています。 この中で、携帯電話においては、 基地局のデータ（プロトコルデータ）を格納するための記憶装置として、 また、コンピュータ周辺装置などのＯＡ機器においても、 ＣＰＵ制御用データの記憶装置としてフラッシュメモリが用いられていますが、 低電圧を実現した３ボルト駆動のフラッシュメモリへのニーズが高まっています。 当社は、このようなニーズに対応するため３ボルト単一駆動が 可能な新製品を商品化するものです。
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