プレスリリース (1997.2.5-1) | ニュース

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４分の１インチ・３３万画素のＣＭＯＳイメージセンサの開発について

1997年2月5日

　当社は、トランジスタとフォトダイオードとの組み合わせで１画素を構成する撮像素子として、回路構成の最適化によりセルサイズを約３１平方ミクロンに微細化し、４分の１インチサイズを実現した３３万画素のＣＭＯＳイメージセンサを開発しました。

　本開発品は、ＣＭＯＳ回路を用いているため、ＣＣＤに比べて消費電力を約１０分の１に低減できるとともに、５ボルト単一電源で動作できます。

　また、本開発品は、６４０４８０画素のＶＧＡフォーマットに準拠しており、高画質を実現しています。

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