ウインボンド・エレクトロニクス社との半導体提携の拡大について

1996年8月14日

 当社は、ウインボンド・エレクトロニクス社(華邦電子公司 本社:台湾  新竹科学工業園区 社長:ディンヤン・ヤング)との従来からの提携関係を拡大し、 64メガビットDRAMの製品技術および製造の技術を供与するとともに、同社から 製品の供給を受けることについて基本的合意に達しました。

 当社は、1995年12月にウインボンド・エレクトロニクス社と16メガビット DRAMと1メガビット高速SRAM次世代品に関し、提携関係を締結しています。
 今回、当社はアジアにおける有力なパートナーとしてのウインボンド・ エレクトロニクス社との協力関係を強化することによって、長期的な視野に立った 生産体制の拡充を図るため、64メガビットDRAMを含めた提携関係に 拡大するものです。

 ウインボンド・エレクトロニクス社は、8インチウェハ対応のクリーンルームに おいて、当社が提供する製造技術を導入し、64メガビットDRAMの生産を行う 計画です。

 今回の提携拡大によって、ウインボンド・エレクトロニクス社は当社からの 技術供与を受けて次世代の最先端メモリである64メガビットDRAMを 量産することが可能となります。

 現在、情報・通信・映像が高度に融合したマルチメディアの進展にともない、 引き続きメモリ需要の拡大が予想されています。これに対応し、当社は長期的な 視点に立って生産基盤の構築に取り組んでおり、64メガビットDRAMの生産に 関し、国内においては本年5月に四日市工場の第2クリーンルームを完成させ、 稼働を開始しています。また、米国ではIBM社と合弁のメモリ製造拠点を建設を 進め、1997年秋からの生産を開始する計画です。
 今回さらに、台湾における有力な半導体企業であるウインボンド・ エレクトロニクス社と提携することによって、グローバルなシリコン・ウエハの 供給能力の拡大が可能となります。

ウインボンド・エレクトロニクス社概要
英文社名 Winbond Electronics Corp
所在地 台湾 新竹科学工業園区研新8路4号
社長名 ディンヤン・ヤング
設立 1987年9月1日
資本金 2億5000万米ドル
従業員数 約3,000人
売上高 7億2000万米ドル(1995年)


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