ウインボンド・エレクトロニクス社との半導体提携の拡大について 1996年8月14日 当社は、ウインボンド・エレクトロニクス社(華邦電子公司 本社:台湾 新竹科学工業園区 社長:ディンヤン・ヤング)との従来からの提携関係を拡大し、 64メガビットDRAMの製品技術および製造の技術を供与するとともに、同社から 製品の供給を受けることについて基本的合意に達しました。 当社は、1995年12月にウインボンド・エレクトロニクス社と16メガビット DRAMと1メガビット高速SRAM次世代品に関し、提携関係を締結しています。 ウインボンド・エレクトロニクス社は、8インチウェハ対応のクリーンルームに おいて、当社が提供する製造技術を導入し、64メガビットDRAMの生産を行う 計画です。 今回の提携拡大によって、ウインボンド・エレクトロニクス社は当社からの 技術供与を受けて次世代の最先端メモリである64メガビットDRAMを 量産することが可能となります。 現在、情報・通信・映像が高度に融合したマルチメディアの進展にともない、 引き続きメモリ需要の拡大が予想されています。これに対応し、当社は長期的な 視点に立って生産基盤の構築に取り組んでおり、64メガビットDRAMの生産に 関し、国内においては本年5月に四日市工場の第2クリーンルームを完成させ、 稼働を開始しています。また、米国ではIBM社と合弁のメモリ製造拠点を建設を 進め、1997年秋からの生産を開始する計画です。
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