当社は、ギガビット世代のＤＲＡＭやフラッシュメモリ、システムＬＳＩなどの 超ＬＳＩの開発を行う研究開発棟「アドバンスト・マイクロエレクトロニクス・ センター」の建設を進めてきましたが、このたび完成し、本日、竣工式を行います。

　当社は、昭和５９年に超ＬＳＩの開発拠点を現在の研究開発センター内 （川崎市幸区）に建設し、メガビット世代のＤＲＡＭを始めとする超ＬＳＩの 研究開発を推進してきました。

　当社は、まず日米欧３社で共同開発した２５６メガビットＤＲＡＭを 新研究開発棟に移管し、２５６メガビットＤＲＡＭの開発を完成させるとともに、 １ギガビット世代の超ＬＳＩの開発、さらにそれを支える先端要素技術の研究開発を 推進していきます。

　新研究開発棟は、横浜事業所（横浜市磯子区新杉田８）内に建設したもので、 延床面積が約４８，０００平方メートル（鉄筋４階建て）で、０．２５ミクロン以下の 微細加工が可能な開発試作設備、試作サンプルの評価を行うテスター、 分析設備などを導入し、最先端超ＬＳＩの開発を行います。

　新研究開発棟のクリーンルームは、クラス１（注）で、現在、半導体の 量産工場において用いられている８インチウェハを使用し、将来的には １２インチウェハにも対応していく予定です。

　また、新研究開発棟の試作ラインは、シリコンウェハ１枚毎に工程を管理する、 枚葉管理方式のシステムを導入しており、ロジックやメモリの異なる品種の 開発試作を同時に行うことができます。

　新研究開発棟の建設にともなう設備投資額は、建設費、設備費を含めて 約６００億円です。当初、約６００人の人員で研究開発を開始します。

　新研究開発棟では、設計技術・プロセス技術・デバイス技術を統合した 次世代ＣＩＭシステム（情報・通信技術を利用した統合生産システム）を 導入しています。このため、研究開発をはじめ、量産工場への製品移管・ 量産立ち上げをスムーズに効率よく行うことができます。

　当社は、新研究開発棟において次世代ＣＩＭシステムを確立し、四日市工場や 岩手東芝エレクトロニクスなど、量産工場へも順次展開していく計画です。

　当社は、平成４年には、米国ＩＢＭ社および独シーメンス社と ２５６メガビットＤＲＡＭの共同開発を行うことで合意し、０．２５ミクロンの プロセス技術の開発を共同で行っています。その成果として、昨年６月には 世界最小のチップ面積を実現するとともに、多ビット化にするなど商品化を 前提とした２５６メガビットＤＲＡＭをＩＢＭ（米国ニューヨーク州 イースト・フィッシュキル）ＡＳＴＣ（アドバンスト・セミコンダクタ・ テクノロジー・センター）で試作しています。

　また、当社は、マルチメディア時代に向けたシステムＬＳＩの開発を 強化するとともに、最先端ＬＳＩ開発の高度化・開発期間の短縮化に対応するため、 半導体研究開発体制の組織を変更しました。ＬＳＩコアの開発を全社的に サポートするため、Ａｄｖａｎｃｅｄ－Ｉ事業本部に「戦略ＬＳＩ企画室」を 設置するとともに、最先端ＬＳＩ開発の高度化・開発期間の短縮化に対応するため、 マイクロエレクトロニクス技術研究所内に「デバイス技術研究所」、 「プロセス技術研究所」、「システムＬＳＩ技術研究所」を設置しました。

（注）クラス１・・・１立方フィート中に０．０３ミクロン以上のゴミが１個以下

新研究開発棟の主な概要

所在地	横浜市磯子区新杉田８　横浜事業所内
延床面積	約４８，０００平方メートル（鉄筋４階建て）
投資額	約６００億円
人員	約６００人