新製品は、(1) ボンディングパッドを回路中央に集中して配置することで配線短縮化 を図るとともに、(2) 出力回路と周辺回路の電源経路を分離することによって、 出力回路からのノイズの影響を低減し、３２ビット構成を実現しています。

　サンプル価格は、ＳＯＪパッケージの高速ページモード・５Ｖ電源・アクセス タイム６０ナノ秒タイプで１１，５００円、また、ＳＯＪパッケージのハイパー ページモード（ＥＤＯ）・３．３Ｖ電源・アクセスタイム７０ナノ秒・セルフリ フレッシュタイプで１５，０００円です。

新製品の概要

 
    　形　　　名 
４Ｋリフレッシュ品         １Ｋリフレッシュ品    　 電源・電圧     　モード 

 TC5116320BJ/BFT-60/-70   TC5118320BJ/BFT-60/-70      5V       高速ページ　 
 TC5116320BJS/BFTS-60/-70 TC5118320BJS/BFTS-60/-70    5V       高速ページ
                                                               /セルフリフレッシュ　 
 TC5116325BJ/BFT-60/-70   TC5118325BJ/BFT-60/-70      5V       ハイパーページ　 
 TC5116325BJS/BFTS-60/-70 TC5118325BJS/BFTS-60/-70    5V       ハイパーページ
                                                               /セルフリフレッシュ　 
 TC51V16320BJ/BFT-70      TC51V18320BJ/BFT-70         3.3V     高速ページ　 
 TC51V16320BJS/BFTS-70    TC51V18320BJS/BFTS-70       3.3V     高速ページ
                                                               /セルフリフレッシュ　　 
 TC51V16325BJ/BFT-70      TC51V18325BJ/BFT-70         3.3V     ハイパーページ　 
 TC51V16325BJS/BFTS-70    TC51V18325BJS/BFTS-70       3.3V     ハイパーページ
                                                               /セルフリフレッシュ　 

新製品の開発背景

新製品の主な特長

1. 多ビット構成メモリの場合に問題となる、出力回路からのノイズの影響を 低減するために、(1)ボンディングパッドを回路中央に集中して配置することにより 配線短縮化を図るとともに、(2)出力回路と周辺回路の電源経路を分離することに よって、世界で初めて３２ビット構成を実現しています。

2. ０．５ミクロンの微細加工技術やトレンチ技術を採用することによって、 ５Ｖタイプで６０ナノ秒、３．３Ｖタイプで７０ナノ秒の高速読み出しを可能 にしています。

3. ５１２キロワード×８ビット構成の４メガビットＤＲＡＭとの置き換えが容易な １Ｋリフレッシュタイプと、携帯情報機器に適した低消費電力の４Ｋリフレッシュ タイプの２タイプを揃えています。

4. セルフリフレッシュ機能を内蔵しているため、データ保持のためのリフレッシュ 動作を簡略化させることが可能です。

5. パッケージは４００ミル幅７０ピンＳＯＪ（０．８mmリードピッチ）と４００ミル 幅７０ピンＴＳＯＰ（０．６５mmリードピッチ）の２種類を用意しています。