今回の合意に基づき、両社は０．４μｍのＣＭＯＳ微細加工技術を用いて、 ３．３Ｖまたは５Ｖ単一動作で高速の書き込み・読み出しを実現する６４Ｍビット ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを当社の半導体システム技術センター（川崎市）にお いて本年中に共同開発するもので、当社のサンプル出荷は来春を予定しています。
　両社は、同メモリのデザインルール、メモリセル、メモリ構成、チップサイズ、 機能、性能、動作電圧、パッケージなどの技術仕様を統一することにより、ＮＡＮＤ 型フラッシュメモリ分野における協力関係をさらに深め、 業界の標準化を推進していきます。

　当社と三星電子は、平成４年にＮＡＮＤ型フラッシュメモリ事業に関する契約 を締結し、当社が１６ＭビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリおよび８年間の契約 期間中に開発するすべての標準型ＮＡＮＤ型フラッシュメモリについて、技術仕 様や論理回路などの製品情報を三星電子に提供するとともに、業界の標準化を推 進していくこととしています。

　今回の合意は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ分野における両社の協力関係をさ らに深めることにより、ユーザに対する製品の安定供給を目指すものです。

背景と狙い

　当社は、このようなニーズに対応するため、今回の合意によりＮＡＮＤ型フラ ッシュメモリ分野における三星電子との提携関係をさらに強化したものです。

　これまで当社は、１６ＭビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリについては、市場 の拡大にともない逐次生産を拡大するとともに、フラッシュメモリカードなど同 メモリの応用製品の商品化にも注力してきました。
　また、３２ＭビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリについても、市場の立ち上が りに対応した商品化を図る準備を進めています。
　当社は、今回の合意で６４ＭビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発効率を 高めることにより、同メモリについても市場の急速な拡大に対応する、タイムリ ーな事業展開を図っていく予定です。

＜三星電子の概要＞

 

　代表理事副会長　：　金　光浩 

　本社所在地　　　：　ソウル特別市中区太平路２衝２５０番地 

　資本金　　　　　：　３，４２０億ウォン 

　従業員数　　　　：　５２，０００名 

　事業内容　　　　：　半導体、情報通信機器、家電製品の製造・販売